| | 品牌：瑞科创 | | 型号：10MHZ/20MHZ | | 种类：晶体 | |
| | 标称频率：12.8MHZ | | 调整频差：0.1 | | 温度频差：10 | |
| | 总频差：1 | | | | | |
温补晶振，恒温晶振，高精度晶振
一、应用
通讯、航空、航天、军事、移动通信、数字程控交换机、网络传输、接入网、光传输、雷达、导航、电子对抗、无线通信、测试设备、锁相环电路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窝基站、频率合成器
二、主要技术指标贺荣
1)Frequency Range 频率范围:1.00-160.00MHz
2)SC Cut OCXO AT Cut OCXO
3)Initial Calibration 频率准确度: A ≤±0.5ppm @25℃ B ≤±0.1ppm @25℃
C ≤±0.05ppm @25℃ D ≤±0.01ppm @25℃
4)Frequency Adjustment 频率调整: 1 ≥ ±0.5ppm 2 ≥ ±1.0ppm 3 ≥ ±3.0ppm
4 ≥ ±5.0ppm 5 ≥ ±7.0ppm 6 ≥ ±10ppm
5)Control Voltage压控电压 ： 0 - 5V
6)Operating Temperature 工作温度范围: E 0-+50℃ F -10-+60℃ G -20-+70℃
H -30-+75℃ I -40-+75℃ J -40-+85℃
7)Frequency Stability 温度频率稳定度: 1 ppb = ppm 1/1000
K ±0.1ppm L ±0.05ppm M ±0.03ppm N ±0.02ppm
O ±0.01ppm P ±0.03ppm Q ±0.005ppm R ±0.001ppm
8)Output Waveform 输出波形: 1 HCMOS 2 TTL 3 ACMOS
4 Sine 输出电平 ≥+2dBm ≥+5dBm @ 50Ω
谐波抑制 ≤-20dBc ≤-30dBc @ 50Ω
杂波抑制 ≤-70dBc ≤-75dBc @ 50Ω
5 Clipped Sine ≥1Vp-p 10kΩ
//10pF
9)Supply Voltage 工作电压范围: S 3.3V T 5.0V U 12.0V W 15.0V
10)Power Consumption 功耗：Warm up 开机 ≤3.5W-7.0W
@25℃ 稳定 ≤1.2W-3.5W
11)Phase Noise 相位噪声:
| Frequency |
10Hz |
100Hz |
1kHz |
10kHz |
100kHz |
| 10.0MHz |
–1120dBc/Hz |
–150dBc/Hz |
–160dBc/Hz |
–165dBc/Hz |
–170dBc/Hz |
| 10.0MHz |
–120dBc/Hz |
–140dBc/Hz |
–150dBc/Hz |
–155dBc/Hz |
–160dBc/Hz |
| 10.0MHz |
–115dBc/Hz |
–135dBc/Hz |
–145dBc/Hz |
–150dBc/Hz |
–155dBc/Hz |
| 10.0MHz |
–100dBc/Hz |
–130dBc/Hz |
–140dBc/Hz |
–145dBc/Hz |
–150dBc/Hz |
12)Ageing 频率老化率: ±0.1ppm maximum in first year ±1.0ppm maximum for 10 years
±0.5ppm maximum in first year ±2.0ppm maximum for 10 years
13)Package Outline 封装、尺寸:
N DIP 21*13*12mm O DIP 20*20*10mm P DIP 25*19*15mm Q DIP 30*30*16mm
R DIP 36*27*16mm S DIP 38*38*16mm T DIP 50*50*16mm U SMD 25*22*14mm
14)Storage Temperature 储存温度范围： -55-+90℃
三、产品定型 RTO-10MHZ-SC A 1 J K 1 U N
| |
频率 |
晶体 |
准确度 |
频率
调整 |
温度范围 |
稳定性 |
波形 |
电压 |
尺寸 |
| RTO |
10 |
SC |
A |
1 |
J |
K |
1 |
U |
N |
RTO |
10MHZ |
SC cut |
±0.5ppm
|
±0.5ppm
|
-40-+85
℃ |
±0.1ppm |
HCMOS |
12V |
DIP 21*13*12
mm |
￥1.50
￥8.98
￥面议
￥面议
￥面议
